Американские ученые разработали новую память, которая в теории позволит создавать крошечные накопители, вмещающие до 1 ТБ данных. Новая память работает на молекулярном уровне, потребляет намного меньше электроэнергии в сравнении с современными технологиями и недорога в производстве, сообщает Wired.com...
В отличие от флэш-памяти, где данные хранятся в виде заряда, здесь используются металлизированные ячейки с функцией программирования (Programmable Metallization Cell, PMC), состоящие из разрозненных атомов меди. Под воздействием отрицательного заряда эти атомы начинают выстраиваться в линию и формируют подобие нанопроволоки - получается логическая единица. В разгруппированном состоянии - соответственно логический ноль. По словам авторов изобретения, процесс полностью обратим, положительный заряд возвращает атомы в их первоначальное положение.
Источник: CNews.ru
|